# Christophe Fouquet  

高數值孔徑極紫外光微影（High NA EUV）的量產導入時程逐漸明朗。艾司摩爾（ASML）執行長Christophe Fouquet今（14）日表示，台積電（2330）確認將在2030年前後，把High NA導入大量生產；三星電子（005930，韓國交易所）則規劃從2028年開始用於大量生產。Fouquet指出，High NA計畫啟動至今已超過十年，如今各......

AI投資正把晶片製造設備的需求能見度推向更遠。艾司摩爾（ASML）執行長Christophe Fouquet今（14）日表示，部分客戶已對提前下訂2029年、甚至2030年的設備表達強烈興趣；但公司原先規劃2027年增加30%、2028年再增加30%的產能，仍無法完全滿足客戶需求，正研究進一步提高2028年及之後的供應能力。「2027年增加30%、2028年......

AI相關投資帶動晶片製造設備需求，艾司摩爾（ASML）今（14）日公布2026年第三季財報，營收達116.62億歐元（約新台幣4,206億元），季增25%，營收與毛利率雙雙創下新高。公司預估第四季營收將進一步增加，全年營收介於440億至450億歐元（約新台幣1兆5,871億至1兆6,232億元），全年毛利率約56%。第三季毛利率達57.5%，較第二季增加3.......

晶圓代工龍頭台積電（2330）與半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）宣布發起產業合作，共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。台積電指出，擴大光罩尺寸有望提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，同時解除High NA EUV......

為替高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術進入先進製程量產掃除雙光罩拼接限制，台積電（2330）與全球微影設備大廠艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）今（8）日宣布展開產業合作，將High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋。雙方目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓相關微影系統全面就緒，支援先進製程量產。台積電並表......

來自全球各地區的《華爾街日報》（TheWallStreetJournal）記者在本周發表的一系列文章中對不斷升溫的全球晶片大戰進行了深度報導。影響這場晶片戰的關鍵在於該行業的領導層。預計晶片產業的規模到本世紀末將增加一倍，達到1兆美元。